ГОСТ Р ИСО/МЭК 11695-3—2011
Приложение А
(обязательное)
Условия считывания/записи при испытаниях
При проверке оптическихсвойств и характеристиккарты соптической памятью используют метод голографи
ческой записи характеристик источников освещения, приведенных ниже.
П р и м е ч а н и е 1 — Предполагается, что условия считывания/записи при испытаниях будут описаны в но
вых стандартах серии ИСО/МЭК 10373. устанавливающих требования к условиям испытаний для определения ха
рактеристик карт с оптической памятью (метод голографической записи данных).
П р и м е ч а н и е 2 — Данные условия испытаний применимы ко всем типам испытаний, если не указано
иное.
А.1 Источник освещения
Источником освещения должен быть полупроводниковый лазерный диод, имеющий длину волны в интерва
ле от 630 до 680 нм. Пучокдолжен быть коллимированным и иметь распределение интенсивности в виде циркуляр-
но симметричного Гауссова профиля. В зависимости от материала, используемого в качестве запоминающего
слоя, свет может быть поляризованным.
А.2 Диаметр пучка освещения
Коллимированный пучок на поверхности оптического слоя должен измеряться в точке 1/е2. Диаметр пучка
должен быть 110 % — 150 % периода дифракционной решетки.
А.З Мощность пучка считывания
Мощность пучка считывания на поверхности оптической зоны должна быть меньше, чем 0.50 мВт.
А.4 Нормальные условия испытаний и кондиционирование
Для испытания карты с голографической памятью дифракционная решетка должна быть записана в запоми
нающем слое. Она должна считываться при помощи пучка считывания, а интенсивность дифрагированных пучков
должна измеряться светочувствительным датчиком (камерой, фотодиодом).
Решетки должны быть изготовлены при помощи интерференции двух когерентных плоских волн О и R с
длиной волны >..интенсивностью lQи /Rна углах падения oQи
0
R.
Период решетки Л связан с углом падения (см. рисунок А.1)
sin
0
0 - sin
0
Л
Результирующим профилем одиночных штрихов, формирующих решетки, является синусоидальный про
филь.
Плоская волна ОНормаль к поверхностиПлоская волна R
П р и м е ч а н и е — В данном случае 0Я < 0.
Рисунок А.1 — Запись дифракционной решетки в запоминающем слое при помощи интерференции
двух плоских волн
4