ГОСТ Р ИСО 24497-2—2009
1
6.2 Принцип действия указанных приборов должен быть основан на фиксации импульсов тока в
обмотке феррозонда при помещении его в СМПР приповерхностного пространства ОК. В качестве дат
чиковдля измерения напряженностиСМПРмогутбытьиспользованыферрозондовые илидругие магни
точувствительные преобразователи: полимеры или градиентометры.
6.3 Приборыдолжны бытьснабжены экраном для графического представления параметров конт
роля. регистрирующим устройством на базе микропроцессора, блоком памяти и сканирующим устрой
ством в виде специализированных датчиков. Должна быть обеспечена возможность передачи
информации от прибора к компьютеру и распечатки ее на принтере. В комплекте с прибором должно
поставляться программноеобеспечениедля обработки результатов контроля накомпьютере.
6.4 Вкомплекте с прибором поставляютспециализированныедатчики. Типдатчиков определяет
ся методикойиОК. Надатчикахдолжнобытьноменеедвух каналовизмерений, одинизкоторыхизмери
тельный. адругой используютдля отстройки от внешнего магнитного поля Земли.
В корпусах датчиков должен быть электронный блок усиления измеряемого поля и датчик для
измерениядлины контролируемогоучастка.
6.5 На ОК. где затруднительно использовать сканирующие устройства, допускается применять
магнитометрические приборы с цифровой индикацией напряженности магнитного поля.
6.6 На погрешность измерения СМПР влияют следующие факторы:
- чистота поверхности ОК;
- расстояниедатчика от поверхности ОК:
- скорость сканированиядатчика вдоль поверхности ОК:
- чувствительностьдатчика.
Допустимая погрешность измеренийдолжна быть указана в методиках в зависимостиот ОК.
6.7 Должны бытьобеспечены следующие метрологические характеристики приборов:
- основная относительная погрешность измерения магнитного поля для каждого канала измере
ний — не более i 5 %;
- относительная погрешность измеряемойдлины — не более i 5 %:
- диапазон измерений приборов — не менее± 000
А/м;
- минимальный шаг сканирования (расстояние между двумя соседними точками контроля) —
1мм;
- уровеньшумов, обусловленный работой процессора и микросхем — не более ± 5 А/м.
7 Подготовка к контролю
7.1 Подготовка к контролю состоит из:
- анализа техническойдокументации на ОК и составления карты (формуляра) ОК;
- выбора типовдатчиков и приборов контроля;
- настройкиикалибровки приборовидатчиков в соответствиисинструкцией, указанной впаспорте
прибора;
- условного деления объекта контроля на отдельные участки и узлы, имеющие конструктивные
особенности, и обозначения их вформуляре ОК.
7.2 Анализ техническойдокументации на объект контролявключает всебя:
- выявление марок сталей и типоразмера узлов;
- анализ режимов работы ОК ипричин отказов (повреждений);
- выявление конструктивных особенностей узлов, мест расположения сварныхсоединений.
8 Проведение контроля
8.1 Измеряют нормальную и/или тангенциальную составляющие собственного магнитного поля
рассеяния Н0на поверхности ОК непрерывным или точечным сканированием датчиком прибора, при
этом на поверхности ОК определяют зоны с экстремальными изменениями поля Нр и линии с нулевым
значением поля Нр (Нр= 0). Эти зоны и линии соответствуют зонам концентрации остаточных напря
жений.
8.2 Для количественной оценки уровня концентрации остаточных напряжений определяют коэф
фициентинтенсивности Кнн,А/м2, изменения магнитного поля Нр поформуле
з