ГОСТ 17164-87 С. 13
источника импульсного напряжении
G
на транзистор подают нап
ряжение, равное максимально допусшмому.
2.8.33. Транзистор считают выдержавшим испытание, если об
ратный ток коллектора не превышает значении, установленного в
технических условиях на транзисторы конкретных’типов.
2.9. Ме тод изме ре ния п р о б и в н о г о н а п р я ж е н и я
э мит те р- баз а
L/э
вопр.ли п р о в е р к им а к с и м а л ь н о
д о п у с т и м о г оп о с т о я н н о г он а п р я ж е н и яэмит те р-
б а з а
U
э
б
о
2.9.1.
Общие положения
2.9.1.1. Измерение производится при максимально допустимой
температуре перехода и (или) 25 °С.
2.9.1.2. Обратное напряжение эчнттер-база — по п. 2.7.1.2.
2.9.1.3. Ток базы должен соответствовать значению, указанному
в технических условиях на транзисторы конкретных типов для про
бивного напряжения.
2.9.1.4. Цепь коллектора разомкнута.
2.9.2.
Средства измерения
2.9.2.1. Измерение проводят по схеме, приведенной на черт. 2.
2.3.2.2. Источник импульсного напряжения
G
должен обеспечи
вать импульсы напряжении по п. 2.7.1.2 с регулируемой амплиту
дой в пределах от нуля до наибольшего возможного пробивного
напряжения.
2.9.3.
Проведение измерения
2.9.3.1. Измерение пробивного напряжения эмиттер-база прово
дят следующим образом:
1) увеличивают напряжение от источника импульсов напряже
ния и при этом но измерителю
PI
контролируют’обратныйток-
базы;
»
2) при достижении значения тока по п. 2.9.1.3 с помощью изме
рителя
Р’2
измеряют пробивное напряжение.
2.9.3.2. Максимально допустимое напряжение эмиттер-база оп
ределяют как часть от пробивного напряжения в соответствии с
выражением ^
эбш ч
= АХ/.тБ<,, где коэффициент
К
должен со
ответствовать усыновленному в технических
условиях
на
транзис
торы конкретных типов.
Проверку максимально допустимого напряжения эмиттер-база
проводят при тех же условиях и по той же схеме. При этом от ис
точника импульсного напряжения
G
на транзистор подают наппя-
жение. равное максимально допустимому.
2 9.3.3 Транзистор считают выдержавшим испытание, если об
ратный ток эмиттера не превышает значения,установленного в
технических условиях на транзисторы конкретных типов для мак
симально допустимого напряжения эмиттер-база.
2.10. Ме т о диз ме ре нияг р а н и ч но г он а п р я ж е
ния колл ек гор-эм и г тер<г( ).