УДК 621.382.33:004.JS4Груши Э29
Г О С У Д А Р С Т В Е Н Н Ы ЙС Т А Н Д А Р ТС О Ю З АС С Р
ТРАНЗИСТОРЫ БИПОЛЯРНЫЕ
МОЩНЫЕ ВЫСОКОВОЛЬТНЫЕ
Метод измере ия пробивного напряжения
ноглектор-база
н
(зммттср база) при нулеаом
токе эмиттера (коллектора]
Power high-voltage bipolar transistors.
Collector-base (emitter-base) breakdown voltage
measurement at emitter (collector) cut-off current
ОКП 62 2300
ГОСТ
18604
.
27-86
Постановлением
Государственного
комитета СССР по стандартам от 2J апреля
1986 г. Ns 1124 срок дейстямя установлен
с 01.ОМУ
. да 01.8Г.М-
Несоблюдемие стандарта преследуется по закону
u t y t /А -
Настоящкй стандарт распространяется на - мощные высоко
вольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измере
ния пробивного напряжения коллектор-база ^кБ0ОГов и эмиттер-
база UзБОарог с использованием источника напряжения.
Допускается измерение пробивного напряжения с использова
нием генератора тока. Данный метод приведен в рекомендуемом
приложении.
Общие требования при измерении и требования безопасности —
по ГОСТ 18604.0—83.
Стандарт полностью соответствует Публикации МЭК 147—2С
и СТ СЭВ 3994-83.
1. УСЛОВИЯ И РЕЖИМ ИЗМЕРЕНИЯ
1.1.Параметр ^гкБОГГ"в <>пРеДеляют измерением падения нап
ряжения на переходе коллектор-база проверяемого транзистора
при заданном обратном токе коллектора / кьои тохс эмиттера,
равном нулю.
Параметр 6’ЭБОорсв определяют измерением падения напря
жения на переходе эмиттер-база проверяемого транзистора при
заданном обратном токе эмиттера ! ьъо и токе коллектора, рав
ном нулю.
Издание официальное
★
Перепечатка воспрещена
© Издательство стандартов, 1986