ГОСТ Р 51799-2001
7.3.3 Проходное затухание А, дБ, определяют по формуле
А = _ю lg(l - р2), (1)
где р — коэффициент отражения, измеренный согласно 7.3.2.
7.3.4 Напряженность электромагнитного поля (ЭМП), создаваемую протекающим через СРМ высокочастотным током, определяют следующим образом.
СРМ устанавливают и закрепляют на испытательном стенде. К входу СРМ через калиброванный переход и калиброванную соединительную линию подключают генератор сигналов ВЧ, к выходу СРМ — прецизионную экранированную нагрузку. Генератор сигналов ВЧ и испытуемый СРМ разделяют высокоэффективным ВЧ экраном. Антенну измерителя напряженности ЭМП направленного действия устанавливают таким образом, чтобы она принимала горизонтальную составляющую электрического поля, параллельную одной из сторон корпуса СРМ, на расстоянии 0,5 м от поверхности корпуса. Расположение СИ, вспомогательного оборудования и СРМ приведено на рисунке 4.
|
Калиброванный |
|
Генератор
сигналов
Милли
вольтметр |  |
Прецизионная
экранированная
нагрузка
Измерительная
антенна
Измеритель напряженности ЭМП |
|
Рисунок 4 — Расположение СРМ, СИ и испытательного оборудования при определении напряженности
ЭМП вокруг СРМ |
ВЧ
Устанавливают на генераторе частоту 3 МГц и выходное напряжение 1—2 В по встроенному или внешнему милливольтметру. Измеряют горизонтальную составляющую электрического поля Exi. Ориентируют антенну измерителя напряженности ЭМП для приема горизонтальной составляющей электрического поля, перпендикулярной к Exi, и измеряют Eyi. Ориентируют антенну для приема вертикальной составляющей электрического поля, измеряют E •. Напряженность электрического поля вокруг СРМ, обусловленную действием генератора сигналов ВЧ для данного положения измерительной антенны (для i-й точки), EreHi, В/м, находят по формуле
E . = VE2 + E 2 + E2 . (2)
reHi Xi yi 7} v '
Перемещая антенну измерителя напряженности ЭМП по траектории, указанной на рисунке 4, сначала с одной стороны корпуса СРМ, а затем с другой, через каждые 10 см выполняют аналогичные измерения и вычисления.
Из полученных значений EreHi выбирают наибольшее значение EreH для данной частоты измерения 3 МГц.
Переключают измеритель напряженности ЭМП в режим измерения напряженности магнитного поля и, действуя описанным выше способом, измеряют на частоте 3 МГц составляющие магнитного поля Нх,, Hyi, Hzi> находят суммарную составляющую HreH,, А/м, по формуле
н . = V Н 2 + Н 2+Я2 . (3)
reHi xi yi 7г
7