Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 12.01.2026 по 18.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ 25182-82; Страница 4

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 25172-82 Сплавы твердые спеченные. Метод определения твердости по Виккерсу ГОСТ 25172-82 Сплавы твердые спеченные. Метод определения твердости по Виккерсу Sintered hardmetals. Method of determination of Vickers hardness (Настоящий стандарт устанавливает метод определения твердости по Виккерсу спеченных твердых сплавов) ГОСТ 25188-82 Контакт-детали электрические. Метод определения эрозионной стойкости в электродуговом режиме ГОСТ 25188-82 Контакт-детали электрические. Метод определения эрозионной стойкости в электродуговом режиме Electrical contacts. Erosion resistance testing under electrical arc conditions (Настоящий стандарт распространяется на контакт-детали, изготовляемые по нормативно-технической документации, как комплектующие изделия низковольтной коммутационной аппаратуры для обеспечения стыковых электрических контактов при силе тока до 20 А в режиме дуговой эрозии, а также на контактные материалы, используемые для изготовления контакт-деталей, и устанавливает метод стендовых испытаний электрических контакт-деталей для определения дугового износа, характеризующего эрозионную стойкость контакт-деталей в электродуговом режиме) ГОСТ 25196-82 Оборудование вакуумное. Установки для ионной имплантации. Общие технические требования ГОСТ 25196-82 Оборудование вакуумное. Установки для ионной имплантации. Общие технические требования Vacuum equipment. Apparatus for ion implantation. General technical requirements (Настоящий стандарт распространяется на установки для ионной имплантации, предназначенные для внедрения ионов твердых, газообразных и жидких веществ массой от 1,666 57х10 в ст. минус 27 до 217,534 67х10 в ст. минус 27 кг (от 1 до 131 а. е. м.), в том числе элементарных и многозарядных ионов бора, фосфора, цинка, мышьяка, селена и сурьмы с эквивалентной энергией ионов от 1,6х10 в ст. минус 15 до 1,6х10 в ст. минус 13 Дж (от 10 до 1200 кэВ) при изготовлении полупроводниковых приборов, интегральных схем и других изделий микроэлектроники)
Страница 4
Страница 1Untitled document