Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями
ГОСТы постранично — титульный лист ГОСТ 20398.4-74

ГОСТ 20398.4-74

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики ГОСТ 20398.3-74 Транзисторы полевые. Метод измерения крутизны характеристики Field-effect transistors. Forward transconductance measurement technique (Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения крутизны характеристики S на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)) ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей ГОСТ 20398.5-74 Транзисторы полевые. Метод измерения входной, проходной и выходной емкостей Field-effect transistors. Input transfer and output capacitance measurement technique (Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает методы измерения входной, проходной и выходной емкостей на малом сигнале. (Сигнал считается малым, если при уменьшении его амплитуды в два раза изменение параметра не выходит за пределы погрешности измерения)) ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора ГОСТ 20398.6-74 Транзисторы полевые. Метод измерения тока утечки затвора Field-effect transistors. Gate leakage current measurement technique (Настоящий стандарт распространяется на полевые транзисторы и устанавливает метод измерения тока утечки затвора)

Транзисторы полевые

Метод измерения активной составляющей выходной проводимости Транзисторы полевые

Метод измерения активной составляющей выходной проводимости Field-effect transistors

Active output conductance component measurement technique (Настоящий стандарт распространяется на маломощные полевые транзисторы и устанавливает метод измерения активной составляющей выходной проводимости на малом сигнале

Страница 1Untitled document