AJDocs
Указатель
И поиск
Новые формы (Учет|Налоги|КНД
ОКУД|КФД|КБК|СФР|Кадры)
Нотариусы
Москвы и РФ
Регионы
Города
ГОСТы
Новости
Статьи
Ещё
Практика по документам
Курс валют (ЦБ) криптовалют (Бинанс)
Крипта | блокчейн | теханализ
Банкротство физ лиц
Советы юристов
Пособия и пенсии
Справочник Судов
Справочник УФССП
Гороскоп
Игра Фишка для гениев
О проекте
Реклама
Поиск по документам
Поиск по ГОСТам
Яндекс поиск
Гугл поиск
Гороскоп
Игра для умников
Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Найти
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Найти
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 29.12.2025 по 04.01.2026
Открыть гороскоп на неделю
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями
Открыть игру, играйте в нерабочее время :)
ГОСТы постранично
—
ГОСТ 19656.9-79
— страница 12
ГОСТ 19656.9-79; Страница 12
или поделиться
Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы
ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току ГОСТ 19656.7-74 Диоды полупроводниковые СВЧ детекторные. Метод измерения чувствительности по току Semiconductor UHF detector diodes. Measurement method of current sensitivity (Настоящий стандарт распространяется на полупроводниковые диоды СВЧ детекторные и устанавливает метод измерения чувствительности по току бета в рабочей точке в диапазоне частот от 0,3 до 300 ГГц)
ГОСТ 19657-84 Профили прессованные из магниевых сплавов. Технические условия ГОСТ 19657-84 Профили прессованные из магниевых сплавов. Технические условия Magnesium alloy pressed profiles. Specifications (Настоящий стандарт распространяется на прессованные профили постоянного сечения из магниевых сплавов с помощью поперечного сечения до 12 см кв. и диаметром описанной окружности до 150 мм)
ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия ГОСТ 19658-81 Кремний монокристаллический в слитках. Технические условия Monocrystalline silicon in ingots. Specifications (Настоящий стандарт распространяется на слитки монокристаллического кремния, получаемые методом Чохральского и предназначенные для изготовления пластин-подложек, используемых в производстве эпитаксиальных структур и структур металл-диэлектрик-полупроводник)
Страница 12
Страница 1
Untitled document