Хорошие продукты и сервисы
Наш Поиск (введите запрос без опечаток)
Наш Поиск по гостам (введите запрос без опечаток)
Поиск
Поиск
Бизнес гороскоп на текущую неделю c 09.02.2026 по 15.02.2026
Открыть шифр замка из трёх цифр с ограничениями

ГОСТ 18604.3-80; Страница 10

или поделиться

Ещё ГОСТы из 41757, используйте поиск в верху страницы ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) ГОСТ 18604.27-86 Транзисторы биполярные мощные высоковольтные. Метод измерения пробивного напряжения коллектор-база (эмиттер-база) при нулевом токе эмиттера (коллектора) Power high-voltage bipolar transistors. Collector-base (emitter-base) breakdown voltage measurement at emitter (collector) cut-off current (Настоящий стандарт распространяется на мощные высоковольтные биполярные транзисторы и устанавливает метод измерения пробивного напряжения коллектор-база и эмиттер-база с использованием источника напряжения) ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора ГОСТ 18604.4-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора Transistors. Method for measuring collector reverse current (Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора (ток через переход коллектор-база при заданном обратном напряжении на коллекторе и при разомкнутой цепи эмиттера) свыше 0,01 мкА) ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера ГОСТ 18604.5-74 Транзисторы. Метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера Transistors. Method for measuring collector-emitter reverse current (Настоящий стандарт распространяется на биполярные транзисторы всех классов и устанавливает метод измерения обратного тока коллектора-эмиттера (тока в цепи коллектор-эмиттер при заданном обратном напряжении коллектор-эмиттер и короткозамкнутых выводах эмиттера и базы; при заданном активном сопротивлении, включенном между базой и эмиттером; при заданном обратном напряжении эмиттер-база) свыше 0,01 мкА)
Страница 10
Страница 1Untitled document