кремния, генераторами на основе кремния, резонаторами на основе
кремния или их комбинациями, или компонентами, выполняющими
функции изделий, классифицируемых в товарных позициях 8532,
8533, 8541, или индукторами, классифицируемыми в товарной
позиции 8504, неразделимо объединенные в единое целое как
интегральнаясхема,представляющаясобойкомпонент,
устанавливаемый на печатной плате или другом носителе, путем
подключения к контактам, проводникам, шариковым выводам,
заземлениям, выводам или контактным площадкам.
В данном определении:
(1) "компоненты"могутбытьдискретными,произведенными
независимо, затем установленнымина остальнуючасть
многокомпонентной интегральной схемы или интегрированными
в другие компоненты.
на кремниевой
изготовлены на
(2) "на основе кремния" означает, что созданы
подложке, или произведены из кремния, или
кристалле интегральной схемы.
(3) (a) "датчики на основе кремния" состоят из микроэлектронных
или механических структур, которые создаются в массе или
наповерхностиполупроводникаиимеютфункцию
обнаружения физических или химических явлений и их
преобразования в электрическиесигналы, вызванные
изменениемэлектрическихсвойств или смещением
механической структуры. "Физические или химические
явления" относятся к явлениям, таким как давление,
акустические волны,ускорение, вибрация, движение,
ориентация, напряжение, напряженность магнитного поля,
напряженность электрического поля, свет, радиоактивность,
влажность, расход, концентрация химических веществ и т.д.
(б) "приводы на основе кремния" состоят из микроэлектронных и
механических структур, которые создаются в массе или на
поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию
преобразованияэлектрическихсигналоввфизическое
движение.
(в) "резонаторы на основе кремния" представляют собой
компоненты, которые состоят из микроэлектронных или
механических структур, которые создаются в массе или на
поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию
генерирования механических или электрических колебаний
заданной частоты, зависящей от физической геометрии этих
структур, реагирующих на внешний входной сигнал.
(г) "генераторы на основе кремния" являются активными
компонентами, которые состоят из микроэлектронных или
механических структур, которые создаются в массе или на
поверхности полупроводника, и, которые имеют функцию